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8月6日讯息，在近日的英特尔财报电话会议上，英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）清楚，人人第二台High NA （高数值孔径）EUV光刻机行将插足英特尔位于好意思国奥勒冈州的晶圆厂。

ASML此前在二季度财报会议上也示意，该公司如故开动向客户出货其第二台High NA EUV光刻机，关联词并未指出是哪家客户。刻下来看，这家客户恰是英特尔。

贵寓自满，ASML的第一代High NA EUV（EXE:5000）的远隔率为 8nm，不错竣事比现存EUV光刻机小1.7倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高2.9倍，不错使芯片制造商梗概简化其制造经由。而且，EXE:5000每小时可光刻跳跃 185 个晶圆，与已在远大量制造中使用的 NXE 系统比较还有所加多。ASML还制定了到 2025 年推出的第二代High NA EUV光刻机将产能提高到每小时 220 片晶圆的道路图，确保将High NA EUV光刻机集成到芯片工场关于芯片制造商来说在经济性上至关难题。字据此前的爆料自满，High NA EUV的售价高达3.5亿欧元一台。

无人不晓，英特尔与ASML谐和了数十年时刻，鼓吹了光刻工夫从 193nm浸没式光刻工夫发展到 EUV，但出于资本议论，英特尔采取不在其 10nm 工艺（格外于台积电6nm）中使用该工夫。相背，英特尔采取使用标准深紫外 (DUV) 光刻机进行四重图案化，需要对单个芯片层进行四次 DUV 曝光，而不是使用 EUV 进行单次曝光。恶果，英特尔在良率方面遭遇了重重困难，导致其10nm工艺推迟了五年。这也使得英特尔被台积电、三星等率先使用EUV光刻机的厂商捏续越过。

因此，在英特尔CEO基辛格建议“IDM 2.0”策略后，英特尔便赶紧再行聚焦于顶端制程工艺的提高，建议的了四年五个工艺节点的野心，但愿在2025年凭借Intel 18A竣事关于台积电2nm工艺的越过。与此同期，英特尔还但愿通过率先继承High NA EUV光刻机来竣事关于台积电等竞争敌手的捏续最初。最终在2030年前竣事英特尔代工业求竣事出入均衡的运谋利润率，并成为人人第二大晶圆代工场。

为此，英特尔在2023年12月已率先拿下了人人首台High NA EUV光刻机，并开动在英特尔俄勒冈州晶圆厂装配。一套High NA EUV光刻系统的大小等同于一台双层巴士，分量更高达150吨，格外于两架空中客车A320客机，全套系统需要43 个货运集装箱内的 250个货箱来装运，装机时刻瞻望需要250名工程东说念主员、历时6个月能力装配完成，不仅价钱不菲也格外耗时。

本年4月18日，英特尔公司淡雅通知在俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造畛域的一个难题里程碑，完成了业界首个商用High NA EUV光刻机的拼装。

字据英特尔的野心，High NA EUV光刻机将会起始会被用到Intel 18A的有关测试，以积攒有关教育，最终会被用于Intel 14A的量产。

此前的报说念自满，ASML已获取十多台High NA EUV光刻机的订单，客户包括台积电、三星、英特尔、好意思光及SK海力士。ASML CEO Christophe Fouquet指出，DRAM芯片制造商【MDE-282】ギャルBEST，可能会在2025或2026年开动使用High NA EUV成就。